삼성 HBM4, 엔비디아 테스트서 11Gbps 속도.. 마이크론 제처
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- HBM4 12단, 엔비디아 테스트서 '최우수' 평가
삼성 HBM4는 핀당 전송속도 11Gbps(초당 기가비트)를 달성했다. 이는 엔비디아가 루빈 플랫폼에서 요구한 표준 사양 10Gbps를 뛰어넘는 수치다. 특히 삼성은 10나노미터(nm) 6세대(1c) D램 공정을 선제적으로 적용했다. 마이크론이 한 세대 전인 1b(5세대) D램을 기반으로 하는 것과 비교된다.
SK하이닉스는 지난 10월 한 3분기 컨퍼런스콜에서 "세계 최고 속도를 구현했다"며 11Gbps 이상의 속도를 구현했다고 공식 발표했다.
삼성은 내년 상반기부터 엔비디아에 HBM4 모듈 공급을 시작할 예정이다. 반도체 업계에서는 AI 가속기 출시 6~7개월 전에 HBM 납품이 완료되는 만큼, 삼성이 내년 2분기부터 본격 공급에 나설 것으로 전망했다. 시장조사업체들은 삼성이 HBM4 개발과 생산, 출하 일정에서 경쟁사보다 3개월가량 늦었다고 분석했지만, 성능 우위가 확인되면서 시장 지위 회복에 청신호가 켜졌다.
HBM 시장에서 삼성은 최근 마이크론을 제치고 2위 자리를 되찾았다. SK하이닉스가 시장점유율 57%로 1위를 유지하고 있는 가운데, 삼성의 HBM4 성능이 입증되면서 시장판도 변화 가능성이 커졌다.
- 美 테일러 공장, 2nm 생산 전환
삼성은 미국 텍사스주 테일러 공장의 생산 계획을 대폭 수정했다. 당초 4nm 공정 확대를 추진했으나, 2nm 게이트올어라운드(GAA) 기술 생산으로 방향을 틀었다. 이번 결정으로 삼성은 미국에서 2nm GAA 칩을 처음 생산하는 업체가 될 가능성이 높다.
TSMC가 미국 공장에서도 첨단 기술이전을 제한하는 가운데, 삼성의 전략 변경은 파운드리 시장에서 경쟁 구도를 바꿀 수 있는 계기로 평가된다. ASML 직원들이 극자외선(EUV) 장비 설치를 완료하면서 생산 전환 작업이 본격화됐다.
테일러 공장의 초기 생산 목표는 월 2만 장이었으나 5만 장으로 상향 조정됐다. 삼성은 첫 2nm GAA 칩셋인 엑시노스2600의 양산 수율이 50%에서 출발해 점진적으로 개선되고 있다고 밝혔다. 업계는 4nm 공정 대신 2nm 생산 설비를 확충한 것이 TSMC의 초기 2nm 생산 규모에 대응하기 위한 전략적 선택이라고 분석했다.
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