삼성전자, ‘마의 10나노’ 벽 깼다.. ‘꿈의 신소재’로 2027년 메모리 패권 승부수

- “10년 써도 끄떡없다”… 내구성 입증 후 2027년 상용화 조준

삼성은 신소재의 수명과 안정성도 입증했다. 반도체는 오래 쓰면 전압이 불안정해지는 현상이 발생하는데, 이를 확인하는 ‘음의 바이어스 온도 불안정성(NBTI)’ 테스트 결과 전압 변화는 고작 –8밀리볼트(mV)에 불과했다.

이는 마라톤 선수가 전력 질주를 하고도 심박수가 거의 변하지 않은 것과 같다. 삼성 연구진은 분자 단위의 시뮬레이션을 통해 “이 신소재로 만든 반도체는 10년 이상 사용해도 성능 저하 없이 안정적으로 작동한다”고 밝혔다.

이번 기술 공개는 삼성의 차세대 D램 로드맵과 맞물려 있다. 삼성전자는 오는 7월 10나노급 6세대(1c) D램 양산을 시작으로, 2026년 7세대(1d)를 거쳐 2027년경에는 꿈의 공정인 10나노 이하 ‘0a’ D램을 상용화한다는 목표다. 특히 최근 인공지능(AI) 반도체 시장의 핵심인 고대역폭메모리(HBM4)가 고단 적층으로 갈수록 열 제어가 중요해지는 만큼, 이 기술은 필수적인 ‘무기’가 될 전망이다.

- 삼성전자 vs SK하이닉스, ‘현재’와 ‘미래’의 대결

삼성전자가 공개한 이 기술은 향후 반도체 주가와 경쟁 구도에 뚜렷한 이정표를 제시한다.

현재 AI 반도체(HBM) 시장의 주도권은 SK하이닉스가 쥐고 있다. 엔비디아 공급망을 선점했고, 패키징 기술(MR-MUF) 우위를 통해 시장의 신뢰를 얻으며 ‘AI 대장주’로서의 프리미엄을 누리고 있다.

반면 삼성전자는 이번 기술 공개를 통해 ‘미래 전장’을 예고했다. 당장 양산 가능한 기술은 아니지만, 물리적 한계에 봉착한 D램의 집적도 문제를 근본적인 소재 혁신으로 뚫어냈기 때문이다. 2027년 이후 0a 공정이 가시화되면 삼성은 압도적인 생산성과 원가 경쟁력을 앞세워 시장점유율을 빠르게 탈환할 가능성이 크다.

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