차세대 전력반도체 R&D, 국비 5000억 쏟는다

27일 업계에 따르면 정부는 다음달 '차세대 전력반도체 산업 육성 로드맵' 실행을 위한 수요기업 조사에 착수한다. 정부가 5000억원을 출자하고 민간 매칭 자금까지 최대 7500억원 예산이 투입되는 대형 프로젝트가 본격화한다.

차세대 전력반도체는 기존 실리콘(Si) 기반 반도체보다 고온·고전압·고주파 환경에서 성능이 우수한 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 등 화합물 소재를 활용한 반도체다. 국방이나 전기차, 전력망 구성의 핵심 부품이기 때문에 국가 산업의 '생명선'으로 묘사된다. 국내 산업계는 자체 생산·공급 능력이 부족해 전력반도체 수요분 90~95%를 수입에 의존하고 있다.

정부는 2026년 인프라 구축 준비를 시작으로 2027년에는 1.2kV급 'SiC 모스펫(MOSFET)' 등 핵심 소자 양산에 돌입한다는 구체적인 타임라인을 설정했다. 2030년까지 전력반도체 기술자립률과 국내 생산 비중을 현재 대비 2배로 끌어올리는 것이 목표다.8인치 공공팹 기반 구축을 완료해 민간 파운드리로의 기술 이전을 가속할 방침이다. 현재 전력반도체 웨이퍼는 6인치 기반으로 8인치 양산을 통해 생산량을 늘리고 단가를 낮출 것으로 기대된다.

이번 프로젝트는 공급자(반도체 제조사) 중심 기존 R&D 체계에서 벗어나, 제품을 실제로 사용하는 '수요 기업'이 기획을 주도하는 방식이다. 수요기업과 팹리스, 파운드리가 컨소시엄으로 묶인 'K-온디바이스 AI 반도체 기술개발 사업' 모델을 일부 벤치마킹해 이식한다.

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