삼성, 기흥에 첨단 파운드리팹 짓는다

4일 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 철거를 끝낸 기흥캠퍼스 종합기술원(SR5)·공과대학(CDI) 부지에 2나노(㎚·10억분의 1m)·4나노급 첨단 파운드리 팹(반도체 생산공장)을 구축하기로 했다. 건물은 카이로스 복합동·그린동·변전소 등으로 구성되며 삼성E&A가 시공·조달·설계(EPC)를 맡기로 했다.

삼성전자가 기흥의 유휴 부지에 첨단 파운드리 팹을 건설키로 한 배경에는 AI 데이터센터 시장의 급성장에 따른 HBM 수요 확대가 있다. 업계는 빅테크의 HBM 주문이 폭주하면서 삼성전자의 HBM 공급량(비트 기준)이 2028년까지 3년간 연평균 52%씩 늘어날 것으로 보고 있다. 현재 화성·평택캠퍼스에서 최신 제품인 HBM4(6세대)의 코어 다이를 생산하고 있지만, 4나노 파운드리 공정으로 만드는 베이스 다이는 화성·평택의 일부 생산라인에서만 만들고 있다. 기흥에 첨단 파운드리 팹이 들어서면 화성·평택의 코어 다이 생산량에 발맞춰 베이스 다이 공급능력도 확충할 수 있을 것으로 기대된다.

1983년 문을 연 기흥캠퍼스는 삼성전자 반도체 신화가 시작된 곳이다. 8인치(지름 200㎜) 웨이퍼를 쓰는 6라인과 12인치(300㎜) 웨이퍼를 쓰는 S1라인이 대표 팹이다. 6라인은 과거 6·7·8라인 등 팹 3기의 생산능력을 한데 모은 시설로 이미지센서와 디스플레이 구동칩, 전력반도체 등 레거시 반도체를 주로 생산한다. S1라인은 시스템LSI사업부 전용 라인으로, 모바일 프로세서(AP)와 차량용 시스템온칩(SoC) 등을 만든다.

프로젝트 카이로스의 핵심은 수십~수백 나노급 성숙공정 위주로 운영돼 온 기흥에 선단공정 생산능력을 심는 데 있다. 첫 단추가 연구동·공과대학을 허문 자리에 들어설 2·4나노 공정 기반의 카이로스 팹이다. 카이로스 팹은 평택 신공장과 마찬가지로 4개의 생산 구역(페이즈)으로 조성될 예정이다.

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[단독] 삼성, 기흥에 첨단 파운드리팹 짓는다