삼성전자, 세계 최초 '900단 V낸드' 구현.. 1000단 시대 초읽기

25일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 최근 450단 셀 웨이퍼 2장을 하나로 접합하는 '셀 멀티 본딩(CMB)' 기술을 활용해 900단 클래스 V낸드 통합 시스템을 구현했다.

데이터를 저장하는 낸드플래시는 인공지능(AI) 서버, 스마트폰, 데이터센터 저장장치(SSD)의 핵심 부품이다. 아파트처럼 단수를 높게 쌓을수록 용량을 늘려 한정된 칩 크기 안에 더 많은 데이터를 담을 수 있고 전력 효율도 극대화된다. 고용량·고효율 부품이 필수인 AI 서버 및 온디바이스 AI 시장의 패권을 잡기 위한 핵심 기술로 꼽힌다.

현재 양산 시장에서는 SK하이닉스가 321단 4D 낸드를 앞세워 가장 높은 단수를 기록 중이다. 하지만 삼성전자는 올해 10세대 V낸드(V10·400단 이상) 양산 준비와 동시에, 연구 단계에서 단숨에 900단 고지까지 밟으며 차세대 낸드 시장에서 유리한 위치를 점했다.

삼성전자는 이번 연구 결과에 대해 “정상적인 셀 동작 특성을 검증했다(Normal cell operation characteristics were verified)”고 밝혀, 단순한 이론적 적층을 넘어 실제 구동이 가능한 수준의 기술력임을 강조했다.

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